現在主流の化学増幅型レジストは次世代リソグラフィにおいても重要な役割を果たすことが期待されるが,パターンの微細化に伴い,レジストに要求される感度・解像度等の性能は材料の極限に迫るものであり,LER(Line Edge Roughness)等の解決困難な問題が山積している。これらの問題の解決のためには反応機構の詳細を理解することが最も重要である。本研究では,電離放射線が化学増幅型レジストに誘起する反応を調べ,反応機構を定式化することにより,固体薄膜中での反応を定量的に解析した。これらの知見に基づき,電子線・EUVレジスト中において酸分布を計算するためポイントスプレッド関数を提案し,シミュレーションコードを開発した。このコードにより,レジスト中へのエネルギー付与から現像までの一連の像形成過程の議論が可能になった。